外媒5日引述消息报导，韩国记忆体大厂三星电子为了提振NANDFlash芯片市场行情，打算在第四季将NAND芯片价格调涨10％以上，且最快自10月开始涨价。业界人士认为，第四季DRAM及NAND合约价可望看涨10％～15％。

消息称，三星电子最快将从10月签约的新订单开始调涨NAND芯片合约价格，这是继先前宣布NAND芯片减产后，企图提振NAND芯片价格的最新策略。

2022年下半年以来，高通膨及全球经济前景恶化不断打击芯片需求，使芯片产业陷入前所未有的低迷期。今年第一季，三星DRAM芯片销售年减61.2％至40.1亿美元，NAND芯片销售也降至29.9亿美元，与去年同期相比少掉一半。

眼看记忆体芯片价格一路下跌，SK海力士带头在去年底宣布减产，而三星也在今年1月跟进，并在4月宣布扩大减产幅度，终于让DRAM芯片价格起死回生，无奈NAND芯片价格未见明显起色。

由于NAND芯片利润比DRAM芯片低，因此三星近来积极推动价格正常化。三星立下目标要在明年第二季达成NAND芯片事业收支打平，因此决定在减产之余还要调涨芯片价格。

SK证券公司分析师HanDong-hee表示：「三星电子的第二波减产行动及获利至上政策，可望激励记忆体芯片价格反弹。」

另一方面，对于三星、SK海力士及美光持续减少供给，意图带动DRAM及NAND合约价及现货价止跌回升。台湾业界人士指出，目前DRAM现货报价中，以DDR5涨势最为明显，主要是库存较少。DDR4库存水位虽偏高，但三大厂的DRAM减产重点锁定于DDR4，朝DDR5扩大生产，预期至2023年底，DDR5销售比重将可达30％～40％，与DDR4用量呈现黄金交叉。

惟法人考量逻辑代工厂端成熟制程产能利用率，并无明显回升，后续仍需观察需求延续力道。

目前第四季模组厂对客户涨价已成市场共识，合约价也有望随现货价回升，模组厂获利将率先反应，而记忆体制造及代工厂则因持续透过减产支撑价格，业绩预料较晚复苏。

DRAM合约价第4季拉涨12~15％

存储器市场近期因三大DRAM持续减产，使DRAM价格开始出现涨势。业界传出，由于第4季DRAM市场供给量将相较第3季再度减少两成，将使DRAM第4季合约价传出可望有12～15％涨幅。法人看好，DRAM厂南亚科（2408）将可望因此受惠。

三星、SK海力士等DRAM大厂今年起开始陆续启动减产措施，以因应市场需求不振，且进入下半年后，业界再度传出三星将再度减产，且累计各大DRAM厂的减产后，将可望让第4季的DRAM市场供给量再比第3季减少两成，使市场供给位元数明显降低。

虽然目前消费性市场需求不佳，不过由于PC、智能手机等终端电子装置搭载容量都呈现大幅成长趋势，其中以智能手机来看，前几年平均仅4GB左右，目前都已经迈向16GB水平，与去年同期相比成长五成，成为下半年有效去化库存的关键。

法人指出，在三大DRAM原厂的市场供给量持续减少，以及终端电子装置搭载容量年成长五成情况下，目前第4季的DRAM合约报价已经传出将可望具备12～15％的涨幅。

其中，南亚科由于为DRAM晶圆厂，因此无法像模块厂透过采购量来控管库存，使南亚科先前营运表现低迷。法人预期，随着DRAM价格有望回温，南亚科后续业绩成长动能可望明显上扬。