三星电子近日宣布，其联合三星先进技术研究所成功研发出一项革命性晶体管技术，可支持10nm以下制程节点的DRAM芯片生产。这一突破性进展有望彻底解决移动设备内存扩展的物理瓶颈，为下一代智能终端带来性能跃升。

‌制程技术突破物理极限‌

传统DRAM制程在10nm节点面临显著挑战，现有缩放方法已接近物理极限。三星此次创新聚焦0a和0b类DRAM技术，通过新型晶体管结构实现制程突破。该技术目前处于研究阶段，预计未来将应用于10nm以下DRAM产品，显著提升设备内存容量与运行效率。

‌耐高温晶体管技术成关键‌

三星此次披露的"高耐热非晶氧化物半导体晶体管"技术，具备卓越的耐高温特性，可承受高达550℃的极端温度环境，有效防止性能衰减。该晶体管采用垂直信道设计，信道长度精确控制在100纳米，并能与单片CoP DRAM架构无缝集成。

‌测试验证卓越可靠性‌

在严格测试中，该晶体管展现出优异的稳定性：排水电流几乎无衰退现象，且在老化测试中表现突出。这一技术突破不仅巩固了三星在高密度内存市场的领先地位，更为2026年及后续智能设备的内存性能提升奠定了技术基础。

‌行业影响与未来展望‌

随着移动设备对内存性能需求的持续增长，三星此项技术突破将重塑行业竞争格局。分析师指出，该技术有望在2026年后逐步应用于高端智能手机、平板电脑等终端设备，为消费者带来更流畅的多任务处理体验与更长的设备使用寿命。