S-LMBT5551LT1G 作为乐山无线电研发的高电压晶体管，以精准的电气参数、优异的环境适应性，成为高压电路设计中兼具稳定性与实用性的元器件，其各项参数经过严苛标定，25℃基准下的性能表现完全适配汽车、工业、消费电子等多场景的应用需求，从极限参数到导通关断特性，均展现出高压低耗的核心优势。
该器件的最大额定参数奠定了高压应用的基础，集电极 - 发射极电压 VCEO160V、集电极 - 基极电压 VCBO180V，远超常规低压晶体管，能在高压供电电路中稳定工作，避免击穿失效;连续集电极电流 600mA，可满足中小功率负载的驱动需求，如车灯、小型电机、传感器等。宽温特性是其另一大亮点，结温与存储温度均为 - 55℃~+150℃，在极寒的户外环境、高温的汽车发动机舱内，均能保持性能稳定，无参数漂移。
热特性参数决定了器件的散热与功耗控制能力，25℃时 FR-4 基板下耗散功率 319mW，降额系数 2.6mW/℃，结到环境的热阻 391℃/W，结到外壳 136℃/W，即使在紧凑式电路中，也能通过合理的散热设计实现长时间工作，有效控制器件温升。电气特性上，关断状态下的击穿电压与截止电流是关键，V (BR) CEO、V (BR) CBO 分别达到 160V、180V，集电极截止电流 ICBO 在常温下仅 50nA，100℃时为 50μA，集电极 - 发射极截止电流 ICEO 仅 10μA，漏电流极小，保证了关断状态下的电路安全性。
导通特性则直接影响电路的工作效率，直流电流增益 HFE 在 IC=1mA、10mA 时最小 80.IC=50mA 时最小 30.最大 250.增益范围宽，可适配不同放大倍数的电路设计;集电极 - 发射极饱和电压在 IC=10mA 时最大 0.15V，IC=50mA 时最大 0.2V，基极 - 发射极饱和电压最大 1V，饱和电压极低，导通过程中的电能损耗大幅降低，提升了整体电路的能效。此外，器件的结电容参数控制优异，在 1MHz 频率下，Cibo、Cobo 均保持低容值，高频响应性好，适配中高频高压电路设计。S-LMBT5551LT1G的各项参数相互配合，实现了高压、低耗、稳定的性能组合，为各类电路设计提供了可靠的元器件解决方案。
