在无线通信、车载射频硬件设计中，射频天线端口对寄生电容极其敏感，普通 ESD 保护器件的高电容会造成信号损耗、灵敏度下降。SZESD7462N2T5G是安森美推出的车规级双向超低电容 ESD 保护二极管，X2DFN2 超微型封装，专为射频高速信号链路静电防护开发，拥有 AEC‑Q101 认证，支持 PPAP 交付，适配消费无线终端以及车载射频场景。

该器件典型电容仅 0.3pF，最大 0.55pF，电容随电压变化线性度优异;插入损耗 1GHz 仅 0.05dB，3GHz 为 0.10dB，对射频信号衰减极低。反向漏电流典型小于 1nA，不会带来额外静态功耗。防护能力满足 IEC61000‑4‑2 Level4.±18kV 接触与空气放电，同时兼容 IEC61000‑4‑4 脉冲群、IEC61000‑4‑5 浪涌以及 ISO10605 车载 ESD 标准。

反向工作峰值电压 VRWM=16V，最小击穿电压 VBR=16.5V，双向保护，总耗散功率 300mW，工作结温‑55℃~+150℃。封装尺寸 1.0×0.6mm，卷带每盘 8000 颗，适配高速 SMT 贴片;衍生型号 SZESD7462MXWT5G 为可焊侧翼版本，便于 AOI 光学检测。普通商用型号 ESD7462N2T5G 无车规资质，车载项目必须选用 SZ 前缀物料。

典型应用：射频天线、射频开关、功率放大器 PA、NFC 近场通信、USB2.0/USB3.0 高速接口、车载无线射频端口。设计射频走线时，ESD 二极管需要靠近接口摆放，缩短保护路径，提升静电泄放效率。

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